半導体プロセス

単結晶半導体基板の上にさらに単結晶半導体を成長させる「エピタキシャル成長」

エピタキシャル成長

今回取り上げるのは、半導体のエピタキシャル成長です。

画面の前の聡明なみなさんはきっとこう思っていると思います。

「そもそも半導体って成長するの?無機物なのに?なぜ?」

至極ごもっともな疑問です。

そして事実、半導体は成長します。

正確には、半導体を構成している結晶が成長します。

なので、「結晶成長」という言葉がよく使われます。

単結晶ウエハの上にちょっと変化を加えた薄い半導体結晶を作るために、この「結晶成長」を使います。

このときの結晶成長を「エピタキシャル成長」と呼びます。

英語でかくと、epitaxyになります。

epiはギリシャ語で「上に」

taxyは、ギリシャ語で「そろえる」という意味があるtaxisから由来していると言われています。

基板とその上につくるエピタキシャル結晶が同じ種類のときには、「ホモエピタキシャル成長(Homo epitaxy)」といいます。

逆に、基板とその上につくるエピタキシャル結晶が違う場合には、「ヘテロエピタキシャル成長(hetero epitaxy)」と言います。