半導体プロセス
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半導体プロセス
Foveros（フォベロス）完全解説──Intelの3D積層とEMIBとの違い・バンプピッチの進化【2026年版】
2026-09-22 AI半導体の性能が「トランジスタを微細化する」だけでは伸びなくなった今、勝負の場はパッケージングに移っています。その中でIntelが20年か …
SiCエピタキシャル成長とは?なぜ必要か・ステップフロー成長・装置シェアをわかりやすく解説
2026-08-16 SiCデバイスの性能は、実は基板そのものではなく、その上に成長させる「エピタキシャル層(エピ層)」で決まります。耐圧も、オン抵抗も、歩留まり …
SiCウェハー・基板の全知識|昇華法・価格が高い理由・中国勢の台頭・8インチ移行を解説
2026-08-14 SiCパワー半導体のコストと性能は、実はウェハー(基板)で大半が決まります。シリコンでは「基板は安い脇役」ですが、SiCでは基板がデバイス原 …
ガラス基板とCoPoS──イビデンが挑むABF有機基板の限界突破と2028年量産への道
2026-08-14 semi-connect編集室 「有機基板の25年が終わる」という衝撃 1999年にIntelのPentium IIIに初めて採用されて以来、ABF有機基板（FC-BGA …
シリコンフォトニクス（SiPho）完全解説2026──AIデータセンターで銅配線を光に置き換える技術
2026-08-12 semi-connect編集室 AIデータセンターで「光の革命」が起きている 2026年のAIデータセンターでは、静かな革命が進んでいる。NVIDIA・Google・Me …
SiGe・BiCMOSプロセス完全解説2026──5Gミリ波・車載レーダー・光通信を支える高周波半導体技術
2026-08-11 semi-connect編集室 5Gと車載レーダーの「隠れた主役」 スマートフォンが5Gミリ波で通信するとき、車がADASレーダーで前方車両を検知するとき、AIデータセン …
ハイブリッドボンディング完全解説2026──バンプなし銅直接接合がAI半導体の限界を突破する仕組み
2026-08-11 semi-connect編集室 NVIDIAのAI GPU・AMDのデータセンター向けアクセラレーター・Appleのプロセッサ。これら最先端半導体チップは今、従来の「はんだ …
EUV光源（LPP方式）完全解説2026──スズ液滴・2段階レーザー・変換効率2〜6%の壁をわかりやすく解説
2026-08-10 semi-connect編集室 EUV（極紫外線）リソグラフィが半導体微細化の主役になったことはよく知られている。しかし「EUV露光機で最も難しい部分はどこか」と問われると …
