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半導体プロセス


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 2026-08-16
SiCエピタキシャル成長とは なぜ必要か・装置シェア 半導体プロセス

SiCエピタキシャル成長とは?なぜ必要か・ステップフロー成長・装置シェアをわかりやすく解説

2026-08-16
SiCデバイスの性能は、実は基板そのものではなく、その上に成長させる「エピタキシャル層(エピ層)」で決まります。耐圧も、オン抵抗も、歩留まり …
SiCウェハー・基板の全知識 昇華法・価格・8インチ移行 半導体プロセス

SiCウェハー・基板の全知識|昇華法・価格が高い理由・中国勢の台頭・8インチ移行を解説

2026-08-14
SiCパワー半導体のコストと性能は、実はウェハー(基板)で大半が決まります。シリコンでは「基板は安い脇役」ですが、SiCでは基板がデバイス原 …
半導体プロセス

ガラス基板とCoPoS──イビデンが挑むABF有機基板の限界突破と2028年量産への道

2026-08-14 semi-connect編集室
「有機基板の25年が終わる」という衝撃 1999年にIntelのPentium IIIに初めて採用されて以来、ABF有機基板(FC-BGA …
シリコンフォトニクス(SiPho)完全解説2026──AIデータセンターで銅配線が限界を迎えたとき何が起きるか 半導体プロセス

シリコンフォトニクス(SiPho)完全解説2026──AIデータセンターで銅配線を光に置き換える技術

2026-08-12 semi-connect編集室
AIデータセンターで「光の革命」が起きている 2026年のAIデータセンターでは、静かな革命が進んでいる。NVIDIA・Google・Me …
SiGe・BiCMOSプロセス完全解説2026──5Gミリ波・車載レーダー・光通信を支えるシリコン拡張技術 半導体プロセス

SiGe・BiCMOSプロセス完全解説2026──5Gミリ波・車載レーダー・光通信を支える高周波半導体技術

2026-08-11 semi-connect編集室
5Gと車載レーダーの「隠れた主役」 スマートフォンが5Gミリ波で通信するとき、車がADASレーダーで前方車両を検知するとき、AIデータセン …
ハイブリッドボンディング完全解説2026──バンプなし銅直接接合がAI半導体の限界を突破する仕組み 半導体プロセス

ハイブリッドボンディング完全解説2026──バンプなし銅直接接合がAI半導体の限界を突破する仕組み

2026-08-11 semi-connect編集室
NVIDIAのAI GPU・AMDのデータセンター向けアクセラレーター・Appleのプロセッサ。これら最先端半導体チップは今、従来の「はんだ …
EUV光源(LPP方式)完全解説2026──スズ液滴・2段階レーザー・変換効率2%の壁と突破策 半導体プロセス

EUV光源(LPP方式)完全解説2026──スズ液滴・2段階レーザー・変換効率2〜6%の壁をわかりやすく解説

2026-08-10 semi-connect編集室
EUV(極紫外線)リソグラフィが半導体微細化の主役になったことはよく知られている。しかし「EUV露光機で最も難しい部分はどこか」と問われると …
半導体プロセス

ABF基板(FC-BGA)とは何か──NVIDIAのGPUを物理的に支える「絶縁フィルム基板」の仕組みと重要性

2026-07-25 semi-connect編集室
基板なくしてAI GPUは動かない 「NVIDIA H100のチップはTSMCが作る」は正しい。しかし「H100が使えるようになるまで」に …
半導体プロセス

ASMLとレーザーテックの関係を解説──EUVエコシステムのサプライチェーン全体像2026

2026-07-18 semi-connect編集室
「ASML株が上がるとレーザーテック株も上がる」──投資家の間でよく言われるこの現象には、技術的な必然性があります。 ASMLはEUV …
半導体プロセス

High-NA EUV完全解説2026──開口数0.55・Anamorphic光学系・IntelとTSMCで採用戦略が分かれる理由

2026-07-18 semi-connect編集室
2026年7月、Intelが世界で初めてHigh-NA EUV(開口数NA=0.55)を使った量産ロジックチップを出荷しました。従来EUV( …
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