TSV（シリコン貫通電極）とは？仕組みから最新HBM・3D積層まで徹底解説【2026年版】
2026-06-04 semi-connect編集室 TSV（Through-Silicon Via／スルー・シリコン・ビア）は、シリコンチップを垂直方向に貫通する微細な電極（穴）です。チッ …
CoWoSとは？TSMCの先端2.5Dパッケージング技術【AI GPU需要で生産が逼迫】
2026-06-03 semi-connect編集室 AI向けGPUの性能競争が激化する中、「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）」という半導体パッケージング技術が …
背面給電技術の製造プロセス詳解｜ウェハー薄化・裏面配線・ナノビア形成の最前線
2026-05-14 semi-connect編集室 背面給電技術（BSPDN）の実現には、従来の半導体製造プロセスに全く新しい工程が加わります。 ウェハーを数十nmまで薄く研磨する「極薄 …
半導体レチクル（フォトマスク）の価格とは？プロセスノード別のコスト推移を徹底解説
2026-05-06 semi-connect編集室 半導体業界のニュースで「2nm（ナノメートル）」や「3nm」といった言葉を耳にすることが増えました。最新のスマートフォンやAIチップを支える …
半導体とスマホを支える「魔法の粉」：レチクルとレアアースの意外な関係
2026-05-06 semi-connect編集室 現代社会において、スマートフォンやAI、自動運転車はなくてはならない存在です。これらの心臓部である「半導体チップ」を作るために欠かせないのが …
半導体産業の「原版」を握る：レチクルビジネスで躍進する企業たち
2026-05-06 semi-connect編集室 現代の生活に欠かせないスマートフォン、AI、自動車。これらすべてを動かしているのは、爪の先ほどの小さなチップ「半導体」です。この半導体を作る …
背面給電技術の未来展望｜2030年以降の半導体ロードマップとBSPDNの進化
2026-04-21 semi-connect編集室 背面給電技術（BSPDN）は2025〜2026年の量産化フェーズを経て、2030年以降にはさらなる技術的進化を遂げると予測されます。 …
SamsungのBSPDN戦略｜SF1.4（1.4nm）プロセスと背面給電技術の組み合わせ
2026-04-21 semi-connect編集室 Samsung Foundryは背面給電技術（BSPDN）をSF1.4（1.4nm相当）プロセスに組み込む計画を持ち、業界3番手として参戦し …
