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半導体プロセス

non-fungy  2023-06-14 /  2023-06-20
no image 半導体の会社分析

イオン注入機メーカーやイオン注入(ドーピング)の原理

2023-06-14 non-fungy
イオン注入(イオンインプラント, ion-implant)は、半導体製造工程の一つであり、特に製品の品質と性能を向上させるために用いられます …
no image 半導体デバイス

半導体パッケージとフィラーの関係【半導体の後工程】

2023-06-13 non-fungy
フィラー(Filler)とは、一般的に、ある材料の体積を増やすために、または特定の物理的、化学的、または機械的特性を改善するために、別の材料 …
no image 半導体デバイス

【半導体の後工程】半導体のリードフレームとは?

2023-06-13 non-fungy
リードフレームは、半導体デバイス(ICやメモリなど)のパッケージングの一部で、通常は銅または合金から作られた金属フレームです。 リード …
半導体ウエハーを削るバックグラインド工程 半導体プロセス

バックグラインド(裏面研削)工程とは【シリコンウエハーを機械的に削る】

2022-07-30 non-fungy
バックグラインド工程とは 半導体デバイス製造の生産性上げるためにシリコンウエハーは直径150mm→200mm→300mmと大きくな …
半導体プロセス 熱処理の種類あれこれ 半導体プロセス

【目的別に整理】半導体プロセスのいろいろな熱処理の種類

2022-07-30 non-fungy
半導体デバイスの製造での熱処理は、シリコンウエーハを窒素(N2)やアルゴン(Ar)などの不活性ガス雰囲気中で熱を与えることを意味します。  …
不純物ドーピングの手法 半導体プロセス

不純物ドーピングの手法について

2022-07-03 non-fungy
半導体ウエハに不純物領域(拡散層)をつくって、PN接合を作るために、不純物ドーピング(Doping)と不純物拡散は必要不可欠です。 不純物ドーピングの手法 イオン注入+熱拡散  …
RTA 半導体プロセス

半導体に急速に熱を加えるRTA(アール・ティー・エー)とは

2022-07-02 non-fungy
半導体プロセスには、半導体ウエハに熱を加えることが欠かせません。 なぜなら、半導体ウエハに狙い通りのPN接合(不純物の拡散層)を作るた …
エピタキシャル成長 半導体プロセス

単結晶半導体基板の上にさらに単結晶半導体を成長させる「エピタキシャル成長」

2022-01-13 non-fungy
今回取り上げるのは、半導体のエピタキシャル成長です。 画面の前の聡明なみなさんはきっとこう思っていると思います。 「そもそも半導 …
リソグラフィ(写真製版)技術の全体像 半導体プロセス

【光/EUV/X線/電子線/イオンビーム】リソグラフィ(写真製版)技術の全体像を解説!

2022-01-11 non-fungy
光リソグラフィ g線光源の光リソグラフィ 高圧水銀アーク灯から発せられる波長436nmの光(電磁波)をg線(じーせん)といいます。 i …
Siのエッチングの原理を 化学式を使って解説 半導体プロセス

Siのエッチングの原理を化学式を使って解説【半導体の前工程プロセス】

2022-01-09 non-fungy
半導体として最も使われている材料がSi(シリコン)です。 半導体の製造プロセスでは、Siをいかに精密に、正確に、速く加工できるか、とい …
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