半導体プロセスフォトリソグラフィの進化の歴史──g線・i線・KrF・ArF液浸・多重露光・EUV・High-NA EUVまで40年の技術革命 2026-07-16 semi-connect編集室 1980年代に半導体製造ラインで使われていた光の波長は436nm(g線)でした。2026年現在、最先端ファブでは13.5nm(EUV)が使わ …