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半導体プロセス

CoWoSボトルネック2026:NVIDIAが60%を独占するTSMC先端パッケージの実態

2026-07-17 semi-connect編集室
AI半導体の「真のボトルネック」が変わった 2026年のAI半導体業界で最も重要な制約は、もはやウェーハ製造(Fab)ではない。H100・ …
半導体プロセス

CoWoS 2026年最新動向まとめ|需給逼迫・NVIDIA独占・次世代技術の行方

2026-07-03 semi-connect編集室
2026年、AI半導体市場の最大のボトルネックは依然としてCoWoS(Chip on Wafer on Substrate)だ。TSMCが月 …
半導体の工場

半導体後工程のスマートファクトリー化・AI活用最新動向【2026年版】

2026-06-13 semi-connect編集室
半導体の前工程(ウェーハ製造)では早くからAI・自動化の導入が進んでいましたが、近年は後工程(パッケージング・テスト)においても急速なスマー …
半導体の理論

半導体エンジニア向け参考書・教科書おすすめ【入門〜上級・チップレット対応 2026年版】

2026-06-10 semi-connect編集室
半導体業界への参入・スキルアップ・研究開発を目指すエンジニアにとって、体系的な知識を積み上げられる参考書・教科書は欠かせません。AI・H …
半導体プロセス

半導体後工程とは?ダイシングから先端パッケージまで全工程を解説【2026年最新】

2026-06-05 semi-connect編集室
半導体後工程(バックエンドプロセス)は、ウェハ上に形成されたチップを製品として完成させるための工程群です。前工程(ファブリケーション)で …
半導体プロセス

TSV(シリコン貫通電極)とは?仕組みから最新HBM・3D積層まで徹底解説【2026年版】

2026-06-04 semi-connect編集室
TSV(Through-Silicon Via/スルー・シリコン・ビア)は、シリコンチップを垂直方向に貫通する微細な電極(穴)です。チッ …
半導体プロセス

CoWoSとは?TSMCの先端2.5Dパッケージング技術【AI GPU需要で生産が逼迫】

2026-06-03 semi-connect編集室
AI向けGPUの性能競争が激化する中、「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)」という半導体パッケージング技術が …
背面給電技術の製造プロセス詳解 半導体の工場

背面給電技術の製造プロセス詳解|ウェハー薄化・裏面配線・ナノビア形成の最前線

2026-05-14 semi-connect編集室
背面給電技術(BSPDN)の実現には、従来の半導体製造プロセスに全く新しい工程が加わります。 ウェハーを数十nmまで薄く研磨する「極薄 …
GAAトランジスタ×背面給電技術 半導体の理論

GAAトランジスタ×背面給電技術|次世代半導体の最強コンビが変える2nm以降の世界

2026-05-14 semi-connect編集室
2nm以降の半導体世代で同時に導入される二つの革命的技術—「GAA(Gate-All-Around)トランジスタ」と「BSPDN(背面給電技 …
IR降下と配線効率の革新 半導体の理論

IR降下と配線効率の革新|背面給電技術(BSPDN)が実現する電力品質向上

2026-05-14 semi-connect編集室
半導体チップ設計において「IR降下(IR Drop)」と「配線混雑(Routing Congestion)」は、性能向上を妨げる二大障壁です …
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