半導体プロセスフォトリソグラフィの進化の歴史──g線・i線・KrF・ArF液浸・多重露光・EUV・High-NA EUVまで40年の技術革命 2026-07-16 semi-connect編集室 1980年代に半導体製造ラインで使われていた光の波長は436nm(g線)でした。2026年現在、最先端ファブでは13.5nm(EUV)が使わ …
半導体プロセスEUVフォトマスク(レチクル)完全解説──1枚数千万円・反射型構造・位相欠陥とActinic検査が必要な理由 2026-07-16 semi-connect編集室 半導体の製造ラインで1枚数千万円〜1億円超の値段がつくものがあります。EUVフォトマスク(レチクル)です。 EUVリソグラフィでは、こ …
半導体プロセスレーザーテックの競争力を徹底解剖──EUVマスク検査で世界シェア100%を独占できる本当の理由 2026-07-15 semi-connect編集室 「従業員1,300人の会社が、売上2,200億円・営業利益率45%超・世界シェア100%」──レーザーテック株式会社(証券コード:6920) …