背面給電技術の未来展望｜2030年以降の半導体ロードマップとBSPDNの進化
2026-04-21 semi-connect編集室 背面給電技術（BSPDN）は2025〜2026年の量産化フェーズを経て、2030年以降にはさらなる技術的進化を遂げると予測されます。 …
SamsungのBSPDN戦略｜SF1.4（1.4nm）プロセスと背面給電技術の組み合わせ
2026-04-21 semi-connect編集室 Samsung Foundryは背面給電技術（BSPDN）をSF1.4（1.4nm相当）プロセスに組み込む計画を持ち、業界3番手として参戦し …
Rapidusのビジネスモデルと顧客戦略｜「ジャスト・イン・タイム」ファウンドリーの挑戦
2026-04-20 semi-connect編集室 Rapidusは単なるファウンドリー（半導体受託製造）企業ではなく、顧客の半導体設計から製造・パッケージングまでをワンストップで支援する新し …
Rapidusへの政府支援と資金調達｜1兆円超の国家投資と経済安全保障の論理
2026-04-20 semi-connect編集室 Rapidusは民間企業ですが、その資金の大部分は日本政府（経済産業省）からの補助金で賄われています。 2022年の設立時に700億円 …
Rapidusの2nmプロセス技術詳解｜GAA・EUV・最先端製造技術の全容
2026-04-20 semi-connect編集室 Rapidusが目指す「2nmプロセス」は、現在世界で量産されている最先端半導体（TSMCのN3：3nm世代）と同等以上の微細化レベルです。 …
CMOSイメージセンサー画質性能ランキング｜DxOMarkスコアと技術要素で徹底比較
2026-04-19 semi-connect編集室 カメラの画質を客観的に評価する世界標準の指標として「DxOMark」スコアが広く参照されています。 センサーの感度・ダイナミッ …
ToF・3Dセンシング向けCMOSセンサーランキング｜深度センシング技術の最前線
2026-04-19 semi-connect編集室 スマートフォンのFace ID・拡張現実（AR）デバイスのハンドトラッキング・自動運転車の障害物検知・産業ロボットの物体把持——これ …
CMOSイメージセンサー感度・低ノイズ性能ランキング｜暗所撮影の限界に挑む技術
2026-04-19 semi-connect編集室 「暗い場所できれいに撮れるか」——これはスマートフォンカメラ・監視カメラ・科学計測機器において最も重要な性能指標のひとつです。センサ …
