窒化シリコン[Silicon Nitride]
窒化シリコン[Silicon Nitride]は、シリコンと窒素の化合物で、化学式はSi3N4と書く。
比誘電率が約7。
シリコン酸化膜[SiO2, 比誘電率4]よりも、窒化シリコンのほうが比誘電率が高いため、DRAMの容量膜として活用される。
また、窒化シリコンはほとんど酸化されないという特性を持つ。
この特性から、LOCOSのマスク膜として利用される。
チップ[Chip]
シリコンなどの半導体結晶の小片をチップと呼ぶ。
チップの中にICやCMOSセンサーが作りこまれている。
チップのことを、ペレット、ダイと呼ばれることもある。
チャネリング[Channeling]
チャネリングとは、シリコンなどの半導体結晶に対して、イオン注入を使用してイオンを打ち込む場合、入射ビームがシリコンの結晶軸や結晶面にほぼ平行になっていると、イオンがチャネル(構成原子の隙間)に沿って散乱されることなく、スーッと半導体結晶の表面から深い場所まで入り込んでしまう現象のことだ。
そのため、イオン注入においては、入射ビーム角を0度ではなく、あえて少しだけ角度をつけて、チャネリングが起きないようにイオン注入を行う。
こうすることで、半導体の最表面側に濃度の濃い不純物領域(拡散層)を作ることができる。
チャネル[Channel]
チャネルは電気の流れる通路を意味する。
たとえば、MOSFETにおいて、ゲートをオンしたときに、ソース領域とドレイン領域の間の半導体の表面近くに形成される電気が流れる通路をチャネルと呼ぶ。
このチャネルを形成するために、ゲートに電圧をかける。
これに対して、基板の内部に形成されたチャネルを「埋め込みチャネル」と呼ぶ。
