ロームのAIサーバー向け次世代パワー半導体|SiC・GaN・Si「共存」戦略と赤字からの逆転シナリオ

AIサーバーの語り口はGPUとメモリ(HBM)が中心ですが、実は今、業界がもうひとつ頭を抱えている問題があります。「電力」です。GPU1個で1kW級、ラック1本で100kWを超える電力を、いかに無駄なく変換してチップに届けるか——この戦場で存在感を高めているのが、京都のパワー半導体大手ローム(東証プライム: 6963)です。

ロームは2026年7月28日の報道向けセミナーで「パワー半導体は役割分担から共存の時代になる」という考えを示しました(日本経済新聞)。本記事では、AIサーバーの電源がなぜ難題なのか、Si・SiC・GaNという3つのパワー半導体の使い分け、そしてロームの最新の動きと勝算を解説します。

Contents

ロームとはどんな会社?
AIサーバーの電源は、なぜそんなに難しいのか
Si・SiC・GaN — 「役割分担」から「共存」へ
ロームの具体的な動き — 採用実績が積み上がってきた
次の主戦場 — HVDC(高電圧直流給電)への移行
投資家目線での注目ポイント
よくある質問(FAQ)
まとめ

ロームとはどんな会社?

項目	内容
社名	ローム株式会社
証券コード	6963(東証プライム)
本社	京都市
主力	パワー半導体(SiC・Si)、アナログIC、トランジスタ・ダイオード
特徴	SiC(炭化ケイ素)パワー半導体の世界的先行企業。GaNデバイス「EcoGaN」も展開

ここで正直に書いておくべき文脈があります。ロームの2026年3月期は、パワー半導体事業で約1,936億円の減損を計上し、最終損益は1,584億円の赤字に沈みました(日経報道)。主因はEV市場の減速です。SiCはEVの心臓部向けに巨額の先行投資をしてきた分野で、その需要が想定を下回ったダメージは深刻でした。だからこそ、急拡大するAIサーバー電源は、ロームにとって投資を回収する「第二の出口」として極めて重要なのです。

AIサーバーの電源は、なぜそんなに難しいのか

データセンターの電力の流れを単純化すると、「系統電力 → 電源ユニット(PSU)でAC-DC変換 → サーバー内のバスで配電 → GPU直近のVRMで約1Vの大電流に変換」という多段変換になっています。各段で数%ずつ電力が失われるため、変換効率をコンマ数%上げるだけで、データセンター全体では発電所レベルの電力が節約できる構造です。

電力の桁が違う: AI学習用GPUは1個で数百W〜1kW級。ラック単位では従来サーバーの10倍近い電力密度
効率=冷却=お金: 変換ロスはすべて熱になり、冷却コストに跳ね返る
スペースがない: 電源はGPUに場所を譲る立場。小さく・高効率にの二律背反を解く鍵が新材料デバイス

国内でも秋田の500MW級をはじめ大型AIデータセンター計画が相次いでおり(秋田AIデータセンター計画の解説)、「電力をどう効率よく届けるか」は業界全体の最重要課題になっています。

Si・SiC・GaN — 「役割分担」から「共存」へ

パワー半導体には材料の異なる3系統があり、それぞれ得意な電圧・周波数帯が違います。

材料	特徴	AIサーバー電源での持ち場
Si(シリコン)	安価・成熟。低耐圧領域では今も最強	GPU直近のVRM、低圧DC-DC(大量に使われる)
GaN(窒化ガリウム)	超高速スイッチング。高周波化で周辺部品を小型化できる	PSU内部のPFC・LLC段。電源の小型化・高密度化の主役
SiC(炭化ケイ素)	高耐圧・大電流・高温に強い	高電圧の入口側、BBU(バッテリーバックアップ)、次世代HVDC給電

かつては「EVはSiC、急速充電器はGaN」のように用途で棲み分ける「役割分担」のイメージでしたが、AIサーバーの電源では1つの電力チェーンの中にSi・SiC・GaNが同居します。ロームの言う「共存の時代」とは、この構造変化のことです。そしてロームは、SiC・GaN・Siの3つすべてを自社で持つ数少ないメーカーであり、共存時代は総合力が活きる局面といえます。

ロームの具体的な動き — 採用実績が積み上がってきた

① 新世代SiCで「電気抵抗3割減」(2026年4月発表)

ロームはEV・AIサーバー向けの新型SiCパワー半導体を開発し、素子の構造と製造手法の見直しで電気抵抗(オン抵抗)を約3割低減しました(日経報道)。オン抵抗は通電時の損失そのものなので、抵抗3割減は発熱3割減に直結し、同じ電流ならより小さなチップで済む=小型化・低コスト化にもつながります。

② 750V耐圧SiC MOSFETがAIサーバーのBBUに採用(2026年5月発表)

ロームのSiC MOSFET「SCT4013DLL」が、AIサーバー電源のBBU(バッテリーバックアップユニット)に採用されました。BBUは停電の瞬間にGPUクラスタを守る電池ユニットで、大電流を瞬時に流し込む過酷な用途。高耐圧・大電流に強いSiCの独壇場であり、後述するHVDC(高電圧直流給電)アーキテクチャのキーデバイスと位置づけられています。

③ GaN「EcoGaN」が村田製作所グループのAIサーバー電源に採用(2025年2月発表)

ロームのGaNデバイス「EcoGaN」は、Murata Power SolutionsのAIサーバー向け電源に採用されています。GaNの高速スイッチングは電源の高周波化=小型化の切り札で、限られたラック空間に大電力の電源を押し込むAIサーバーと相性抜群です。

④ Si MOSFETも「業界トップ級」で参戦(2025年5月発表)

地味ながら、AIサーバー向けSi MOSFETでも安全動作領域(SOA)とオン抵抗の両立をうたう新製品を投入。VRMなど大量に使われる低圧領域も取りにいっており、まさに「Si・SiC・GaN総動員」の布陣です。

次の主戦場 — HVDC(高電圧直流給電)への移行

今後の大きな流れが、データセンター給電のHVDC化です。ラックの電力が100kWを超えると、従来の48V配電では電流が大きくなりすぎ、配線の損失と太さが限界に達します。そこで400V〜800V級の直流でラックまで送り、そこから一気に降圧するアーキテクチャへの移行が業界で検討されています。

電圧が上がるほど、高耐圧に強いSiCの出番は構造的に増えます。ロームのSiCがBBUに採用されたのは、まさにこのHVDC時代の布石です。EV向けに磨いてきた高耐圧SiC技術がデータセンターで活きるという、投資の「転用」が成立しつつあるのが現在地といえます。