イオン注入機メーカーやイオン注入(ドーピング)の原理
2023-06-14 semi-connect編集室 イオン注入（イオンインプラント, ion-implant）は、半導体製造工程の一つであり、特に製品の品質と性能を向上させるために用いられます …半導体パッケージとフィラーの関係【半導体の後工程】
2023-06-13 semi-connect編集室 フィラー(Filler)とは、一般的に、ある材料の体積を増やすために、または特定の物理的、化学的、または機械的特性を改善するために、別の材料 …【半導体の後工程】半導体のリードフレームとは?
2023-06-13 semi-connect編集室 リードフレームは、半導体デバイス（ICやメモリなど）のパッケージングの一部で、通常は銅または合金から作られた金属フレームです。 リード …
バックグラインド(裏面研削)工程とは【シリコンウエハーを機械的に削る】
2022-07-30 semi-connect編集室 バックグラインド工程とは 半導体デバイス製造の生産性上げるためにシリコンウエハーは直径150mm→200mm→300mmと大きくな …
【目的別に整理】半導体プロセスのいろいろな熱処理の種類
2022-07-30 semi-connect編集室 半導体デバイスの製造での熱処理は、シリコンウエーハを窒素(N2)やアルゴン(Ar)などの不活性ガス雰囲気中で熱を与えることを意味します。 …
不純物ドーピングの手法まとめ【イオン注入・ガス・SOG】半導体製造の基礎
2022-07-03 semi-connect編集室 半導体デバイスの動作に欠かせないPN接合を形成するためには、シリコンウエハに意図的に不純物（ドーパント）を添加する「不純物ドーピング」が必要 …
半導体に急速に熱を加えるRTA(アール・ティー・エー)とは
2022-07-02 semi-connect編集室 半導体プロセスには、半導体ウエハに熱を加えることが欠かせません。 なぜなら、半導体ウエハに狙い通りのPN接合(不純物の拡散層)を作るた …
エピタキシャル成長とは？【半導体製造の基礎】ホモ・ヘテロの違いと主な成長方法
2022-01-13 semi-connect編集室 半導体製造において、ウエハの上に高品質な結晶薄膜を積み上げる技術「エピタキシャル成長」は、トランジスタや発光ダイオード（LED）、レーザーダ …
